ExtractCIT

a la revista

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

silici

nom masculí
Terminologicitat: 0.999




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La integració a gran escala en silici és determinant.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

Els sistemes de commutació i els terminals es basen en l’electrònica, els ordinadors, la integració en silici, el software i, recentment, en tecnologies òptiques.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La llei de Moore Mite III: Cada 18 mesos es duplica la capacitat d’integració en un xip de silici (llei de Moore).




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La tecnologia estàndard actual d’integració en xips de silici és de 300 nm (dimensió de l’element més petit enregistrable) i la tecnologia punta és de 130 nm (Motorola), i les previsions són que aquest mateix any ja es comencin a fer xips amb tecnologia de 90 nm i que el 2005 s’assoleixin els 65 nm, sempre amb tecnologia CMOS (semiconductor complementari d’òxid metàl·lic).




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La tecnologia de silici finalment tindrà un límit (més endavant s’indiquen algunes dificultats actuals amb què topa) i per això ja s’estan desenvolupant tecnologies alternatives que permeten treballar fins i tot amb àtoms i molècules.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

Els problemes amb què es troba la tecnologia de silici i altres tecnologies, que ja s’estan manifestant actualment, són els següents: — Cada cop és més difícil resoldre els problemes d’escalfament, retards, connectivitat i descàrregues electrostàtiques.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

Passa,però,quelainversióenproducciómicroelectrònica (foundries o foses de silici) és més alta com més petita és la tecnologia i només es pot justificar si es fabriquen grans quantitats (molts milions) de xips.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La capacitat d’integració en silici no és suficient per a l’evolució prevista dels encaminadors de la xarxa troncal.




Revista de Tecnologia (2004)
Freqüència: 17

La capacitat d’integració en silici sembla insuficient, però probablement serà suficient per als terminals i la perifèria de la xarxa.

 

IEC

Institut d'Estudis Catalans. Carrer del Carme 47. 08001 Barcelona.
Telèfon +34 932 701 620. informacio@iec.cat - Informació legal

2022

Llicència de Creative Commons

Aquesta obra està subjecta a una llicència de Reconeixement-NoComercial-CompartirIgual 4.0 Internacional de Creative Commons