xip

La llei de Moore Mite III: Cada 18 mesos es duplica la capacitat d’integració en un xip de silici (llei de Moore).

La tecnologia estàndard actual d’integració en xips de silici és de 300 nm (dimensió de l’element més petit enregistrable) i la tecnologia punta és de 130 nm (Motorola), i les previsions són que aquest mateix any ja es comencin a fer xips amb tecnologia de 90 nm i que el 2005 s’assoleixin els 65 nm, sempre amb tecnologia CMOS (semiconductor complementari d’òxid metàl·lic).

Passa,però,quelainversióenproducciómicroelectrònica (foundries o foses de silici) és més alta com més petita és la tecnologia i només es pot justificar si es fabriquen grans quantitats (molts milions) de xips.

De fet, encara que moltes grans empreses de producció de xips com ara Intel, Philips, IBM, Samsung, Motorola, NEC, etc., tenen les seves pròpies foses, n’hi ha, com Siemens, que les comparteixen amb altres empreses (és el cas de Raza Foundries, ubicada al Silicon Valley).

També cal tenir en compte que moltes d’aquestes foses estan obertes per produir els xips d’altres empreses.

El progrés de la tecnologia de microsistemes (MST) ha permès desenvolupar sistemes sencers miniaturitzats que inclouen elements sensors (per a captar informació de l’exterior), sistemes electrònics per al processament de la informació i presa de decisions (xips electrònics) i sistemes d’actuació tant per al desplaçament com per a la manipulació de l’exterior.

Treballar amb materials piezoelèctrics de baixa tensió és fonamental per a poder realitzar aquests tipus d’estructures i que siguin compatibles amb les tensions obtingudes mitjançant xips electrònics.

S’ha aconseguit obtenir el senyal elèctric de les terminacions medul·lars sobre xips sobre un suport ceràmic implantats en el punt de la lesió, i obtenir una interpretació correcta de les ordres donades per aprenentatge mitjançant xarxes neuronals.