silici

La integració a gran escala en silici és determinant.

Els sistemes de commutació i els terminals es basen en l’electrònica, els ordinadors, la integració en silici, el software i, recentment, en tecnologies òptiques.

La llei de Moore Mite III: Cada 18 mesos es duplica la capacitat d’integració en un xip de silici (llei de Moore).

La tecnologia estàndard actual d’integració en xips de silici és de 300 nm (dimensió de l’element més petit enregistrable) i la tecnologia punta és de 130 nm (Motorola), i les previsions són que aquest mateix any ja es comencin a fer xips amb tecnologia de 90 nm i que el 2005 s’assoleixin els 65 nm, sempre amb tecnologia CMOS (semiconductor complementari d’òxid metàl·lic).

La tecnologia de silici finalment tindrà un límit (més endavant s’indiquen algunes dificultats actuals amb què topa) i per això ja s’estan desenvolupant tecnologies alternatives que permeten treballar fins i tot amb àtoms i molècules.

Els problemes amb què es troba la tecnologia de silici i altres tecnologies, que ja s’estan manifestant actualment, són els següents: — Cada cop és més difícil resoldre els problemes d’escalfament, retards, connectivitat i descàrregues electrostàtiques.

Passa,però,quelainversióenproducciómicroelectrònica (foundries o foses de silici) és més alta com més petita és la tecnologia i només es pot justificar si es fabriquen grans quantitats (molts milions) de xips.

La capacitat d’integració en silici no és suficient per a l’evolució prevista dels encaminadors de la xarxa troncal.

La capacitat d’integració en silici sembla insuficient, però probablement serà suficient per als terminals i la perifèria de la xarxa.